| 基本資料 |
| 公司名稱 |
山東天岳先進科技股份有限公司 |
| 主席 |
宗豔民 |
| 董事 |
宗豔民 (主席兼總經理兼執行董事)
高超 (首席技術官兼執行董事)
王俊國 (執行董事)
李婉越 (非執行董事)
邱宇峰 (非執行董事)
馮顯英 (非執行董事)
黎國鴻 (獨立非執行董事)
李洪輝 (獨立非執行董事)
劉華 (獨立非執行董事)
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| 銀行 |
北京銀行
齊魯銀行股份有限公司
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| 秘書 |
梁秀芳 & 王俊國 |
| 地址 |
香港灣仔告士打道109-111號東惠商業大廈5樓503室 |
| 電話 |
(86531)85978212 |
| 傳真 |
(86531)85978212 |
| 網址 |
http://www.sicc.cc
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| 已發行股本 |
54,907,500 |
| 市值 (百萬) |
$3,486.63 |
| 主要業務 |
主要從事碳化硅襯底的研發、製造及銷售。 |
| 公司前瞻 |
1、核心技術及其先進性以及報告期內的變化情況公司已掌握涵蓋碳化硅襯底生產所有階段的核心技術,包括設備設計、熱場設計、粉料合成、晶體生長、襯底加工及材料質量表徵創新。公司的成功源於我們的專有技術,公司致力於自主研發,並形成一套全面的知識產權保護體系。
(1)碳化硅晶體生長過程中的缺陷控制技術碳化硅材料中的缺陷包括微管、多型夾雜、位錯、層錯等。微管是尺寸為幾微米到數十微米的貫穿型缺陷,是器件的殺手型缺陷;碳化硅材料包含200多種晶體結構,為確保獲得符合要求的晶體結構並避免產生多型夾雜等常見缺陷,精確控制溫度、壓力、氣流等多種參數至關重要;碳化硅晶體生長熱場中存在的溫度梯度導致的熱應力、生長過程中的溫度、組分、生長臺階等波動也容易引入位錯、層錯、點缺陷等缺陷,從而影響後續外延和器件的質量和性能。
我們(i)通過設計晶體成核工藝,控制籽晶界面處的均勻有序成核,實現了單一4H晶型和近零微管密度的晶體生長;
(ii)通過熱場結構和晶體生長腔室結構的設計,實現了高均勻性的晶體生長熱場和穩定的生長臺階控制,有效降低了晶體生長內應力和位錯、層錯等誘生缺陷,大幅度提高了晶體結晶質量;
(iii)通過對貫穿型位錯的產生及轉化機制的研究,以及在位錯消除工藝上的創新,實現了對螺型位錯密度低於60cm-2以內以及最優質控制在1cm-2以下的高質量碳化硅襯底的商業化;
(iv)通過對點缺陷的表徵,以及對其產生和消除機理的研究,實現了生長界面上C/Si組分的精準調控,確保對晶體內點缺陷的類型及濃度進行控制。該等技術使我們能夠在高質量碳化硅晶體的連續生長過程中實現質量穩定可控。
上述缺陷控制技術持續迭代優化,為8英寸及12英寸大尺寸襯底的高良率量產提供了核心支撐。 |
| 主要股東 |
宗艷民 (34.56%)
[02611] 國泰海通證券股份有限公司 (7.04%)
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